一、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備概述
半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備主要應(yīng)用在半導(dǎo)體清洗行業(yè)，該設(shè)備采用先進(jìn)的反滲透技術(shù)和ED1技術(shù)，保證設(shè)備的質(zhì)量和出水水質(zhì)。該設(shè)備整體采用先進(jìn)的不銹鋼材質(zhì)，抗腐蝕能力強(qiáng)，同時(shí)也不會(huì)出現(xiàn)生銹問(wèn)題，質(zhì)量可靠，受到用戶的一致好評(píng)。
二、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工作原理
EDI裝置將離子交換樹(shù)脂充夾在陰／陽(yáng)離子交換膜之間形成EDI單元，EDI工作原理如下圖所示，EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開(kāi)，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰／陽(yáng)電極。在直流電的推動(dòng)下，通過(guò)淡水室水流中的陰陽(yáng)離子分
別穿過(guò)陰陽(yáng)離子交換膜進(jìn)入到濃水室面在淡水室中去除。而通過(guò)濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水，ED1設(shè)備一般以反滲透（RO)純水作為EDI給水．RO純水電導(dǎo)率一般是40-2μ S/cm(25℃).
EDI純水電阻率可以高達(dá)18MQ.cm(25℃),但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在
1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水。
三、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備制備工藝
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)一中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。（≥18MΩ.C0(傳統(tǒng)工藝）
2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→ED1裝置→純化水
箱一辣水系一紫外線殺菌器一隨光溉床→0. 2或0. 5μ=精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。（＊18MΩ.CM(最新工藝）
3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第
二級(jí)反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外
線殺菌器→0. 2或0. 5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。（≥17MΩ.00(最新工藝）
4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置一純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0. 2或0. 5μ=精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。
（≥15Ω.00(最新工藝）
5、預(yù)處理系統(tǒng)一反涉透系統(tǒng)一中間水箱→純水泵一相混合
床→精混合床→紫外線殺菌器一精密過(guò)濾器一用水點(diǎn)。（≥15MΩ.CD(傳統(tǒng)工藝）
